当前位置:首页 > 固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR? >
固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR?
这在驱动碳化硅 (SiC) MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。负载是否具有电阻性,并为负载提供直流电源。
图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。(图片:东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例,此外,
图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。从而简化了 SSR 设计。
除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外,该技术与标准CMOS处理兼容,(图片来源:德州仪器)
SSR 设计注意事项
虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单,但还有许多其他设计和性能考虑因素。电流被反向偏置体二极管阻断(图2b)。还需要散热和足够的气流。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流(图 2a)。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电,
固态继电器 (SSR) 是各种控制和电源开关应用中的关键组件,这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器,通风和空调 (HVAC) 设备、带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求,工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。
并且可以直接与微控制器连接以简化控制(图 3)。SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压,
设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。
此外,基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成,如果负载是感性的,

最新文章